一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：(略)
原公告的采购项目名称：(略)
首次公告日期：(略)
二、更正信息
更正事项：(略)
更正内容：
1、原招标公告中附件中“主要技术要求”：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：(略)
离子增强刻蚀设备1台：(略)
注：(略)
现更正为：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：(略)
离子增强刻蚀设备1台：(略)
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥(略)w。
2. 平均刻蚀功率≥(略)w。
3. #平台测试定位精度：(略)
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括(略)~(略)μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~(略)倍。
7. 精密测量模块定位精度：(略)
8. 直线度：(略)
9. #测量行程≥(略) mm。
(略). 输出频率包括0~(略)Mhz。
(略). #输出通道≥2。
(略). 上升/下降时间≤9 ns。
(略). 测试波长范围包括(略)~(略)nm。
(略). 相位分辨率≤2 nm。
(略). 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
(略). 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
(略). ★最大刻蚀深度≥(略) mm。
（二）离子增强刻蚀设备
1.晶圆大小：(略)
2.工艺腔内径≤(略)mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括(略)~(略)℃。
5.上功率源功率范围应包含(略)~(略)W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在(略)%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。
9.#载片台直径不小于(略)mm。
(略).下功率源功率范围应包含0~(略)W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
(略).#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在(略)%设定功率值的情况下连续运行。
(略).可控制基片表面温度，控温范围为-(略)℃~(略)℃。
(略).真空系统分子泵抽速≥(略)L/s。
(略).#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
(略).气体配置包含如下气体管路：(略)2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
(略).#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
(略).★最大刻蚀深度大于(略)um。
注：(略)
2、原招标公告中附件中“1.采购人信息”：
联系方式：(略)
联系电话：(略)
现更正为：
联系方式：(略)
联系电话：(略)
招标公告其他内容不变
更正日期：(略)
三、其他补充事宜
无
四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称：(略)
地址：(略)
联系方式：(略)
2.采购代理机构信息
名 称：(略)
地 址：(略)
联系方式：(略)
3.项目联系方式
项目联系人：(略)
电 话：(略)
如果内容不全或者附件请点击网址查看：(略)